삼성전자14 반도체 8대공정(5-2)-이온 주입 공정 반도체 이온 주입 공정은 일반적으로 도핑 목적으로 반도체 장치의 제조에 사용되는 기술입니다. Doping은 전기 특성을 변경하기 위해 반도체 재료(ex. 실리콘 등)에 특정 불순물을 도입하는 과정입니다. 오늘은 이온 주입 공정에 대해 알아보겠습니다. 1 . 이온 생성 이온 주입에서 원하는 dopant 원자(예를 들어 붕소, 인, 비소 등)를 함유하는 가스가 이온화됩니다. 가스는 가열되어 전기장을 통과하여 이온을 생산하며, 이온은 전자를 얻거나 손실한 원자이며, 따라서 순 전하를 갖습니다. dopant 가스 선택첫 번째 단계는 반도체 장치의 원하는 전기 특성을 기반으로 적절한 dopant 재료를 선택하는 것입니다. 일반적인 dopant는 다음을 포함합니다. 붕소(b) p 형 도핑의 경우 (반도체에서 "구.. 2025. 2. 2. 반도체 8대공정(5)- 증착(Deposition) 공정 반도체 증착(Deposition)은 반도체 wafer에 얇은 재료 층을 생성하는 데 사용되는 공정이며, 증착 공정은 반도체 제조에 중요한 단계입니다. 증착 공정에서 만드는 박막(Thin film)은 전도성 경로, 절연층 또는 반도체층을 만드는 것과 같은 다양한 목적을 제공 할 수 있습니다. 증착 공정은 반도체 회로의 복잡한 구조를 만드는데 필수적 공정입니다. 오늘은 증착공정의 유형에 대해 알아보겠습니다. 1 . 물리 증기 증착 (PVD,Physical Vapor Deposition)PVD에서 재료는 진공 상태에서 기화 된 다음 wafer에 증착됩니다. 이것은 일반적으로 증발 할 때까지 고체 물질을 가열하거나 Sputtering을 사용하여 수행됩니다(이온으로 고체 물질을 폭격하여 원자를 방출). 재료는 .. 2025. 2. 1. 반도체 8대공정(3)-Photo 공정 Photo 공정은 Photo Lithography를 줄여서 부르는 공정으로, 반도체 제조의 주요 단계 중 하나입니다. 포토 마스크에서 패턴을 반도체 웨이퍼로 전송하는 데 사용되며, 이는 칩의 회로 레이아웃을 정의합니다. 이 패턴을 만드는 방법은 필름의 상을 인화하는 과정이랑 비슷합니다. 오늘은 Photo 공정에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1 . Wafer 준비 일반적으로 실리콘으로 만든 반도체 Wafer는 먼지, 입자 및 유기 잔류 물과 같은 오염 물질을 제거하기 위해 철저히 cleaning 됩니다. 이것은 Photo 레지스트가 올바르게 부착되고 패턴이 정확하게 정의되도록하는 데 필수적입니다. 표면 처리 공정으로 Wafer는 종종 화학 물질로 처리되어 Photo 레지스트가 표면에 골고루 퍼질 수 있도.. 2025. 1. 30. 반도체 8대공정(2)-산화 공정 오늘은 반도체 8대공정 중 산화공정(Oxidation)에 대해 알아보겠습니다. 지난시간 Wafer 제작에 이은 두번째 단계로, 웨이퍼(wafer)는 전기가 통하지 않는 상태로, 절연층을 생성하거나 특성을 만들어 주기 위한 중요한 공정입니다. 반도체의 산화 과정은 다양한 재료가 이용되는데, 오늘은 가장 대표적으로 사용되는 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)의 산화 과정을 중점적으로 학습하겠습니다. 반도체 열산화반도체 웨이퍼 열 산화는 반도체 제조에서 핵심 과정이며, 얇은 산화 층, 대표으로 이산화 실리콘 (SiO₂)이 실리콘 웨이퍼의 표면에서 성장합니다. 이 과정은 웨이퍼를 고온에서 산소 또는 수증기에 노출시키는 것이 일반적으로 800°C~1200°C 사이입니다. 고온은 실리콘과 산소 사이의 반응을 가속화하여.. 2025. 1. 29. 반도체 8대공정(1)- Wafer 제작 반도체 산업 8대 공정 중 첫 번째는 웨이퍼 제조 공정입니다. 웨이퍼 제조 공정은 크게 잉곳 제작, 절단, 클리닝, 연마 단계로 이루어 집니다. 양질의 반도체를 만들기 위해서 꼭 필요한 재료인 웨이퍼를 제작하는 공정은 반도체 공정의 시작이며 정말 중요합니다. 전자공학뿐 아닌 재료과학적 지식도 필요한 공정이며, 오늘은 웨이퍼 제조 공정 각 단계별로 자세히 알아보겠습니다. 1 .잉곳(Ingot) 만들기(Czochralski 공정)웨이퍼 잉곳(Ingot)을 만드는 과정은 Silicon Crystal의 성장으로 시작하며, 일반적으로 Czochralski (CZ) 방법을 사용하여 잉곳을 만듭니다. 이 기술은 약 1400 ° C에서 고순도 Silicon의 용융으로 시작합니다. 작은 Silicon Seed Crys.. 2025. 1. 28. DRAM의 동작 원리에 대해 DRAM은 컴퓨터 및 전자 장치에 사용되는 휘발성 메모리 유형으로, 정적 RAM (SRAM)과 달리 데이터를 유지하려면 끊임없는 Refresh가 필요하기 때문에 "동적"이라고합니다. 오늘은 DRAM 동작 원리에 대해 자세히 알아보겠습니다. 1. DRAM의 기본 구조DRAM은 메모리 셀로 구성되며, 각 셀은 두 가지 주요 구성 요소로 구성됩니다. CapacitorBit 단위의 데이터(1 또는 0)를 저장합니다. Capacitor는 1(충전됨) 또는 0(방전됨)을 나타내는 전하를 유지합니다. Transistor Capacitor에 대한 액세스를 제어하는 스위치 역할을 합니다. Transistor는 Capacitor에 데이터를 읽거나 쓰는 데 사용됩니다. 각 메모리 셀은 행과 열의 매트릭스로 배열되어 그.. 2025. 1. 26. 이전 1 2 3 다음